실리콘반도체 `10 나노 벽` 또 깼다 < 전기·전자·반도체 < 산업 :: 한경�

- 존속적 혁신의 한계를 보여주는 10나노 공정.. 이 시점에서는 탄소 나노 튜브나 양자 쪽으로 반도체의 수명은 끝나나고 있다고 생각하였지만 나노 공정의 기술력은 아직도 멈추지 않았다.

마켓을 Dirving 하는 이런 성과는 분명 괄목할 만한 것이지만, 집적 처리 특성상 그 한계에 도달할 경우를 대비하고 있을 지의 여부가 궁금하다.

------------------------------------------------------------------------------

선폭 10nm(나노미터·10억분의 1m) 이하급 실리콘 반도체 메모리 집적기술 개발의 연구 성과를 잇따라 내놓고 있다. 이는 기존 '실리콘' 소재 반도체의 수명을 획기적으로 늘릴 수 있다는 점에서 주목받고 있다.

반도체 업계와 학계에서는 그동안 10nm급 이하에서는 실리콘 반도체로는 구현이 불가능해 탄소반도체 등 차세대 반도체로 대체될 것이라는 게 정설로 받아들여져 왔기 때문이다.구상모 광운대 교수(전자재료학) 연구팀은 11일 미국 국립표준연구원(NIST) 연구진과 공동으로 5㎚ 실리콘 나노선을 전통적인 질화막 전하저장 게이트(ONO)에 결합시킨 하이브리드 구조의 비휘발성 메모리소자를 개발했다고 밝혔다.

이 실리콘 나노선은 개별적으로 성장시켜 합성한 것으로,결정성이 높고 전기적 특성이 뛰어나 전원이 차단된 상태에서 데이터 유지 기능이 우수하고 온도 변화와 인접 회로에 의한 간섭도 적다고 구 교수는 설명했다.연구팀은 "이번에 개발한 기술이 기존 메모리 칩에 사용해온 전자선 리소그래피 같은 고가의 장비를 쓰지 않고도 웨이퍼 위에서 실리콘 나노선을 효과적으로 제어하고 패턴화할 수 있어 초고집적화가 가능하고 제조 단가도 크게 낮출 수 있다"고 말했다. 연구 성과는 영국 물리학회(IOP)가 발행하는 저널 '나노테크놀러지' 온라인판에 최근 게재됐다.